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    • 弘高創(chuàng)意

    北京弘高創(chuàng)意建筑設(shè)計(jì)股份有限公司

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    專(zhuān)利信息26

    序號(hào) 專(zhuān)利名稱(chēng) 專(zhuān)利類(lèi)型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu) 發(fā)明專(zhuān)利 CN201310724868.1 CN103646927B 2016-02-24
    2 一種雙面半導(dǎo)體器件的QFN封裝結(jié)構(gòu)及方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN201410315879.9 CN104064533A 2014-09-24
    3 超低電容固體放電管 實(shí)用新型 CN201320854955.4 CN203644786U 2014-06-11
    4 大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN201320861456.8 CN203644755U 2014-06-11
    5 大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu) 發(fā)明專(zhuān)利 CN201310724868.1 CN103646927A 2014-03-19
    6 超低電容固體放電管 發(fā)明專(zhuān)利 CN201310718043.9 CN103633130A 2014-03-12
    7 大功率可控硅 發(fā)明專(zhuān)利 CN201210046232.1 CN103296074A 2013-09-11
    8 帶有復(fù)合鈍化膜的大功率器件 發(fā)明專(zhuān)利 CN201210046231.7 CN103295974A 2013-09-11
    9 集成ESD保護(hù)的功率MOSFET或IGBT及制備方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN201010502011.1 CN101982881B 2012-12-12
    10 ESD保護(hù)的功率MOSFET和IGBT 實(shí)用新型 CN201020648105.5 CN202534648U 2012-11-14

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