鑄錠單晶籽晶、鑄造單晶硅錠及其制備方法、鑄造單晶硅片及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010673754.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111910248A | 公開（公告）日 | 2020-11-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111910248A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-10 |
| 分類號(hào) | C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 劉海;張華利;胡動(dòng)力 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司 |
| 地址 | 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)楊山路88號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種鑄錠單晶籽晶及其制備方法、鑄造單晶硅錠及其制備方法、鑄造單晶硅片及其制備方法。鑄錠單晶籽晶內(nèi)摻雜有摻雜元素，摻雜元素的原子體積大于硅的原子體積，摻雜元素的摻雜濃度大于5×10^15個(gè)原子/立方厘米。應(yīng)用本發(fā)明技術(shù)方案的鑄錠單晶籽晶，由于摻雜元素的原子體積大于硅的原子體積，且摻雜元素的摻雜濃度大于5×10^15個(gè)原子/立方厘米，能夠在長(zhǎng)晶之前熔化階段的熱處理過程中明顯抑制氧沉淀，以保持晶體結(jié)構(gòu)在熔化階段熱處理后的完美性，減少了位錯(cuò)滋生，提高鑄錠良率和硅片效率，從而達(dá)到降本增效的目的。?? |
