籽晶鋪設(shè)方法和單晶硅鑄造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110583418.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113293434A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN113293434A 申請公布日 2021-08-24
分類號 C30B28/06（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳紅榮;孫庚昕;張華利;汪晨 申請（專利權(quán)）人 江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 林青中
地址 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)楊山路88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種籽晶鋪設(shè)方法和單晶硅鑄造方法，該籽晶鋪設(shè)方法包括如下步驟：在鑄造容器底部鋪設(shè)多塊單晶籽晶，并將多塊單晶籽晶整體拼合為籽晶層，在側(cè)面相拼接的單晶籽晶中，相互接觸的兩個側(cè)面之間的晶向不同；多塊單晶籽晶包括至少一塊長方形籽晶與多塊第一正方形籽晶，多塊第一正方形籽晶拼接形成整體呈正方形的基礎(chǔ)籽晶部，長方形籽晶的長邊與基礎(chǔ)籽晶部的側(cè)邊對齊拼接，長方形籽晶長邊的長度與基礎(chǔ)籽晶部側(cè)邊的長度相等，長方形籽晶的短邊長度大于第一正方形籽晶的邊長。該籽晶鋪設(shè)方法能夠在生長的硅錠的最外圍形成犧牲區(qū)域，進而通過舍去犧牲區(qū)域，提高了位于小方錠整體的良品率。