一種單晶爐連續(xù)拉晶多次加料機構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610991889.3 申請日 -
公開（公告）號 CN106757309A 公開（公告）日 2017-05-31
申請公布號 CN106757309A 申請公布日 2017-05-31
分類號 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 洪亞麗;姜樹炎 申請（專利權(quán)）人 寶雞市宏佳有色金屬加工有限公司
代理機構(gòu) 深圳市深聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 徐炫
地址 721000 陜西省寶雞市高新五路財富大廈A座1709室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種單晶爐連續(xù)拉晶多次加料機構(gòu)，其包括平移設(shè)備、裝料設(shè)備與提升設(shè)備；裝料設(shè)備設(shè)置于平移設(shè)備；提升設(shè)備固定設(shè)置于裝料設(shè)備；裝料設(shè)備設(shè)置裝料內(nèi)筒，提升設(shè)備設(shè)置提升機構(gòu)，提升機構(gòu)與裝料內(nèi)筒連接；裝料設(shè)備設(shè)置裝料口，裝料口與裝料內(nèi)筒連通；裝料設(shè)備下方設(shè)置輸出結(jié)構(gòu)，輸出結(jié)構(gòu)與裝料內(nèi)筒連通。本發(fā)明實現(xiàn)了單晶體生長過程中的二次加料過程，確保在安全可靠的條件下的二次加料，還利用提升設(shè)備，盡可能地減少在二次加料過程中對原料的污染，可以在前面一爐晶體生產(chǎn)完畢后，不降溫停爐的情況下，進行第二爐多晶硅原料裝料過程，從而有效地降低晶體生長過程中的電能的消耗，節(jié)約成本，提升效率。