一種表面增強(qiáng)拉曼散射基底及其制備方法和應(yīng)用
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202011593563.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN114695615A | 公開(公告)日 | 2022-07-01 |
| 申請公布號 | CN114695615A | 申請公布日 | 2022-07-01 |
| 分類號 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;G01N21/65(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 潘革波;周全 | 申請(專利權(quán))人 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)獨(dú)墅湖高教區(qū)若水路398號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種表面增強(qiáng)拉曼散射基底及其制備方法和應(yīng)用,所述表面增強(qiáng)拉曼散射基底包括依次層疊設(shè)置的光源層、半導(dǎo)體襯底層以及拉曼散射材料層。本發(fā)明在基底中引入原位光源層,實(shí)現(xiàn)拉曼散射的原位增強(qiáng),能夠提升基底的光利用率,表面增強(qiáng)效果更好,具有較高的穩(wěn)定性、靈敏度和重現(xiàn)性,能夠滿足多種需求的拉曼散射器件,且制備工藝簡單,成本低廉。 |





