一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110074979.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102709427B 公開(kāi)（公告）日 2014-12-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN102709427B 申請(qǐng)公布日 2014-12-03
分類(lèi)號(hào) H01L33/36(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 紀(jì)濤;郭德博;張華東;劉剛 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 同方光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場(chǎng)A座29層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的制備方法，涉及光電技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明步驟為：在藍(lán)寶石基板上依次生長(zhǎng)N型半導(dǎo)體層、量子阱有源區(qū)和P型半導(dǎo)體層；在P型半導(dǎo)體層上蒸鍍反射金屬層；刻蝕形成隔離溝槽；填充光刻膠；在器件表面沉積擴(kuò)散阻擋層，再電鍍種子層，形成襯底并退火；將藍(lán)寶石基板剝離；在N型半導(dǎo)體層表面進(jìn)行表面粗化；刻蝕出器件分離或切割的跑道；沉積多層介質(zhì)膜，形成絕緣保護(hù)層；刻蝕出電極槽，并分別在N型半導(dǎo)體層上蒸鍍兩個(gè)N型電極和在襯底上蒸鍍一個(gè)第三電極；將器件從底面減薄至光刻膠的底平面位置；對(duì)器件從隔離溝槽中心進(jìn)行切割，分離形成單個(gè)器件。本發(fā)明在芯片的N面形成了一個(gè)新的第三電極作為測(cè)試電極，實(shí)現(xiàn)了對(duì)垂直芯片的大規(guī)模、高效率測(cè)試，測(cè)量數(shù)據(jù)準(zhǔn)確。