一種提高氮化物L(fēng)ED外延片發(fā)射波長(zhǎng)均勻性的生長(zhǎng)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201310023732.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN103943731B | 公開(kāi)（公告）日 | 2017-03-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN103943731B | 申請(qǐng)公布日 | 2017-03-15 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/00(2010.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 馬亮;梁信偉 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 同方光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場(chǎng)A座29層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種提高氮化物L(fēng)ED外延片發(fā)射波長(zhǎng)均勻性的生長(zhǎng)方法，涉及半導(dǎo)體光電子領(lǐng)域。本發(fā)明的方法步驟為： |
