磁控濺射原子層沉積真空鍍膜系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810219121.3 申請日 -
公開（公告）號 CN108385079A 公開（公告）日 2018-08-10
申請公布號 CN108385079A 申請公布日 2018-08-10
分類號 C23C14/56;C23C14/35;C23C16/54;C23C16/455 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 無錫奧芬光電科技有限公司
代理機構(gòu) 無錫市大為專利商標事務所（普通合伙） 代理人 殷紅梅;劉海
地址 214028 江蘇省無錫市新吳區(qū)新洲路18路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種磁控濺射原子層沉積真空鍍膜系統(tǒng)，其特征是：包括蒸發(fā)室和反應室；所述反應室包括基板轉(zhuǎn)架，在基板轉(zhuǎn)架外側(cè)壁上設(shè)置有基板安裝位，基板安裝位包括對稱設(shè)置在基板轉(zhuǎn)架外側(cè)壁上的上固定槽和下固定槽；所述磁控濺射蒸發(fā)室固定設(shè)有靶材承載部，在其上承載靶材；磁控濺射蒸發(fā)室的側(cè)壁上設(shè)有磁控濺射陰極，磁控濺射陰極與其對應的電源連接；所述原子層沉積蒸發(fā)室設(shè)置有與基板轉(zhuǎn)架相對、平行的氣體分配器，所述氣體分配器包括進氣管道和配氣盤，所述配氣盤固定設(shè)置在所述進氣管道的出口。本發(fā)明實現(xiàn)磁控濺射、原子層沉積的成膜一體化，滿足不同膜層厚度要求的樣品的一次性制備。