MEMS傳感器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510439014.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106365115B 公開（公告）日 2019-08-23
申請公布號 CN106365115B 申請公布日 2019-08-23
分類號 B81C3/00;B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 毛劍宏 申請（專利權(quán)）人 上海麗恒光微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海麗恒光微電子科技有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)龍東大道3000號5號樓501B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種MEMS傳感器及其制備方法，包括步驟：提供一包含有CMOS電路的第一半導(dǎo)體基底，及包含有MEMS器件的第二半導(dǎo)體基底；鍵合第一半導(dǎo)體基底和第二半導(dǎo)體基底；在所述第二半導(dǎo)體基底上形成第一互連插塞；在所述第一半導(dǎo)體基底和第二半導(dǎo)體基底上形成貫通第二半導(dǎo)體基底的第二互連插塞；第二半導(dǎo)體基底表面形成導(dǎo)電互連第一互連插塞和第二互連插塞的金屬互連層，可以解決CMOS電路和MEMS器件之間的電學(xué)連接問題，簡化封裝方法。