壓力傳感器的制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201510770552.5 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN106706172B | 公開(公告)日 | 2021-04-02 |
| 申請公布號 | CN106706172B | 申請公布日 | 2021-04-02 |
| 分類號 | G01L1/14(2006.01)I;G01L1/20(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
| 發(fā)明人 | 劉孟彬;毛劍宏 | 申請(專利權(quán))人 | 上海麗恒光微電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 李時云 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)龍東大道3000號5號樓501B室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明的壓力傳感器的制備方法,包括:提供半導(dǎo)體基板;在半導(dǎo)體基板表面形成壓力感應(yīng)層,壓力感應(yīng)層與半導(dǎo)體基板間形成空腔,空腔上的壓力感應(yīng)層中有第一開口;形成犧牲層,犧牲層覆蓋壓力感應(yīng)層,填充部分第一開口;刻蝕犧牲層,保留靠近空腔邊緣的一環(huán)形犧牲層;形成保護(hù)層,保護(hù)層覆蓋壓力感應(yīng)層;刻蝕保護(hù)層,去除犧牲層上的保護(hù)層,在保護(hù)層中形成第二開口,第二開口為壓力傳感器的壓力傳感區(qū);去除第二開口中的犧牲層和介質(zhì)層。本發(fā)明中,避免壓力感應(yīng)層受到刻蝕的損傷,防止雜質(zhì)進(jìn)入空腔,提高壓力傳感器性能。?? |





