壓力傳感器的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610696305.X 申請日 -
公開（公告）號 CN107764439B 公開（公告）日 2020-01-24
申請公布號 CN107764439B 申請公布日 2020-01-24
分類號 G01L1/14;B81C3/00 分類 測量；測試;
發(fā)明人 劉孟彬;毛劍宏 申請（專利權(quán)）人 上海麗恒光微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 上海麗恒光微電子科技有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)龍東大道3000號5號樓501B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種壓力傳感器的制備方法，包括：提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底的上表面形成有底部電極；在所述半導(dǎo)體基底的上形成一介電層，在所述介電層中形成第一開口，所述第一開口暴露出所述底部電極；在所述介電層上鍵合一晶圓，所述晶圓覆蓋所述第一開口，并形成一空腔；減薄所述晶圓至一預(yù)定厚度；在減薄后的所述晶圓上形成一鈍化層；以及選擇性刻蝕所述鈍化層，以暴露出所述空腔上的部分所述晶圓。本發(fā)明的壓力傳感器的制備方法中，頂部電極以晶圓方式鍵合到所述半導(dǎo)體基底上，避免在所述半導(dǎo)體基底上淀積多晶硅，從而避免使用高溫。