一種半導(dǎo)體器件、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202121813063.0 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN215342593U | 公開(公告)日 | 2021-12-28 |
| 申請公布號 | CN215342593U | 申請公布日 | 2021-12-28 |
| 分類號 | H01L25/18(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱明;張超;王志杰;胡潘婷 | 申請(專利權(quán))人 | 捷捷半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 榮穎佳 |
| 地址 | 226000江蘇省南通市崇川區(qū)蘇通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)井岡山路6號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該半導(dǎo)體器件包括單向TSS芯片與TVS芯片組,單向TSS芯片與TVS芯片組反向串聯(lián),TVS芯片組包括至少一個單向TVS芯片,且當(dāng)單向TVS芯片的數(shù)量大于一個時,單向TVS芯片間串聯(lián);其中,至少一個單向TVS芯片中至少包括低殘壓芯片,低殘壓芯片的電壓大于預(yù)設(shè)值且低殘壓芯片包括單向TVS結(jié)構(gòu)與三極管,單向TVS結(jié)構(gòu)與三極管并聯(lián)。本申請?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體器件、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低且器件殘壓低的優(yōu)點。 |





