一種快恢復(fù)二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110704234.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113437158A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113437158A 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L29/868（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/36（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱輝;肖秀光;呂磊;潘恒 申請（專利權(quán)）人 安徽瑞迪微電子有限公司
代理機構(gòu) 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 朱順利
地址 241002安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科技產(chǎn)業(yè)園1號樓2層209
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種快恢復(fù)二極管，包括N型摻雜漂移區(qū)、重摻雜N型襯底區(qū)域以及位于N型摻雜漂移區(qū)與重摻雜N型襯底區(qū)域之間的N型摻雜緩沖層。N型摻雜緩沖層包括低摻雜電場緩沖層、電場終止層和反向恢復(fù)載流子存儲層，低摻雜電場緩沖層與N型摻雜漂移區(qū)接觸且低摻雜電場緩沖層的厚度較厚，低摻雜電場緩沖層的摻雜濃度高于N型摻雜漂移區(qū)的摻雜濃度；電場終止層位于低摻雜電場緩沖層和反向恢復(fù)載流子存儲層之間，電場終止層的摻雜濃度高厚度薄，其摻雜濃度高于低摻雜電場緩沖層和反向恢復(fù)載流子存儲層；反向恢復(fù)載流子存儲層與所述重摻雜N型襯底區(qū)域接觸，其濃度較低。本發(fā)明的快恢復(fù)二極管，可以降低器件在反向恢復(fù)時的過沖電壓和軟度影響。