激光器與硅光芯片集成結(jié)構(gòu)
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201821583235.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN209044108U | 公開(公告)日 | 2019-06-28 |
| 申請公布號 | CN209044108U | 申請公布日 | 2019-06-28 |
| 分類號 | G02B6/42(2006.01)I; G02B6/122(2006.01)I; H01S5/30(2006.01)I | 分類 | 光學; |
| 發(fā)明人 | 蔡艷; 余明斌 | 申請(專利權(quán))人 | 上海新微科技服務有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海光華專利事務所(普通合伙) | 代理人 | 余明偉 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定區(qū)菊園新區(qū)環(huán)城路2222號1幢1048室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型提供一種激光器與硅光芯片集成結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)包括:激光器芯片,所述激光器芯片包括第一波導;硅光芯片,所述硅光芯片包括第二波導,所述第二波導及所述第一波導將所述激光器芯片發(fā)出的光耦合至所述硅光芯片內(nèi);所述第一波導包括依次一體連接的第一倒錐形波導部、矩形波導部及第二倒錐形波導部;所述第二波導包括第一氮化硅波導、第二氮化硅波導及硅波導;其中,所述第一氮化硅波導、所述第二氮化硅波導及所述硅波導均包括依次一體連接的第一倒錐形波導部、矩形波導部及第二倒錐形波導部。相比于現(xiàn)有技術中的端面耦合,本實用新型的耦合方式對倒裝焊過程中的對準精度要求更低,即使在對準有誤差的實際工藝條件下,仍然具有較高的耦合效率。 |





