一種硅基單片紅外像素傳感器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201821551758.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN208923139U | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-05-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN208923139U | 申請(qǐng)公布日 | 2019-05-31 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/146（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 汪巍; 方青; 涂芝娟; 曾友宏; 蔡艷; 王慶; 王書(shū)曉; 余明斌 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海新微科技服務(wù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉元霞 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號(hào)2號(hào)樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N硅基單片紅外像素傳感器，該硅基單片紅外像素傳感器包括：硅基襯底11；位于硅基襯底11上的緩沖層12；以及位于緩沖層12上的紅外探測(cè)器13和晶體管14，其中，紅外探測(cè)器13采用鍺錫(GeSn)材料，緩沖層12厚度0.5～2微米，還包括，兼作抗反射層的保護(hù)層15，以促進(jìn)紅外探測(cè)器13對(duì)紅外光的吸收。根據(jù)本申請(qǐng)，紅外探測(cè)器采用鍺錫(GeSn)材料制備，因此，能夠結(jié)合鍺錫(GeSn)材料在紅外波段的高響應(yīng)特性在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝下，將光電探測(cè)器和晶體管集成在一個(gè)硅襯底中以形成單片紅外像素傳感器。 |
