一種外延薄膜生長承載盤

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022770695.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213925129U 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN213925129U 申請公布日 2021-08-10
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B25/18（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉杰;馮淦;趙建輝 申請（專利權(quán)）人 瀚天天成電子科技（廈門）有限公司
代理機構(gòu) 廈門市精誠新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉小勤
地址 361001福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔星路96號建業(yè)樓B座一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種外延薄膜生長承載盤，包括圓盤，所述圓盤上表面設(shè)置環(huán)形凹槽，所述凹槽內(nèi)設(shè)置至少一個內(nèi)環(huán)，所述內(nèi)環(huán)與所述圓盤可拆卸地連接；所述圓盤的外周設(shè)置環(huán)形凸起，所述凸起的外沿套接外環(huán)，所述外環(huán)的外沿與所述圓盤的外沿平齊。所述外延薄膜生長承載盤可以通過增加或者去除內(nèi)環(huán)，使得承載盤厚度發(fā)生改變，從而達到調(diào)整晶片表面溫場分布的效果，控制方法簡便，普通操作者皆可以掌握，便于推廣運用，尤其適用于碳化硅外沿薄膜的制備。