聚二甲基硅氧烷薄膜、柔性電容傳感器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910936969.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110763256B 公開（公告）日 2021-08-20
申請公布號 CN110763256B 申請公布日 2021-08-20
分類號 G01D5/24 分類 測量；測試;
發(fā)明人 吳豪;魏丹陽 申請（專利權）人 廣東思谷智能技術有限公司
代理機構 東莞卓為知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 齊海迪
地址 523000 廣東省東莞市松山湖高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)禮賓路4號松科苑19號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于柔性傳感器領域，并公開了聚二甲基硅氧烷薄膜、柔性電容傳感器及其制備方法，該傳感器包括上電極層、中間電介質層和下電極層，上和下電極層結構相同，均包括柔性基體材料和鑲嵌在基體材料中的液態(tài)金屬；中間電介質層介于上和下電極層之間，其中具有多層階梯介孔微結構，同無該介質層的柔性電容傳感器相比，改善了柔性電容傳感器的線性度；當傳感器受到壓力或被導體靠近時，通過測量傳感器電容的變化獲得該傳感器受到的壓力或導體與傳感器之間的距離的大小。本發(fā)明還公開了該傳感器的制備方法。通過本發(fā)明，設計出基于液態(tài)金屬電極及多層階梯介孔微結構的電介質層的柔性電容式傳感器，實現柔性傳感器的高靈敏度。