發(fā)光二極管芯片的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710181149.4 申請日 -
公開（公告）號 CN101409318B 公開（公告）日 2010-06-09
申請公布號 CN101409318B 申請公布日 2010-06-09
分類號 H01L33/00(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜升翰;許國君;張起豪;林昆閱 申請（專利權）人 東莞市臺達能源科技有限公司
代理機構 北京市柳沈律師事務所 代理人 魏曉剛;陳小雯
地址 中國臺灣桃園縣
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法，該發(fā)光二極管芯片包括至少第一電極、至少第二電極以及至少一發(fā)光層。發(fā)光層設置于第一電極與第二電極之間。其中，第一電極透過發(fā)光層而與第二電極電性連接，且當施加一電壓差于第一電極與第二電極之間時，該發(fā)光層產生一光線。本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片及其制造方法，工藝較簡單容易。再者，本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片結構可廣泛地應用于各波段范圍。另外，小面積的單顆發(fā)光二極管元件的發(fā)光效率高、散熱較容易，亦可提升光電轉換效率及延長使用壽命。