一種原子層沉積腔室及原子層沉積裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022882700.1 申請日 -
公開（公告）號 CN213895992U 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN213895992U 申請公布日 2021-08-06
分類號 C23C16/455（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 朱穎暉;祝曉釗;王艷華;馮敏強;廖良生 申請（專利權(quán)）人 江蘇集萃有機光電技術(shù)研究所有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 胡彬
地址 215000江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道1198號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種原子層沉積腔室及原子層沉積裝置。其中，所述原子層沉積腔室包括腔體，腔體的頂部設(shè)置有進氣口，腔體的側(cè)壁上設(shè)置有至少兩個容納槽，容納槽用于容置工件，且工件的成膜區(qū)外露于腔體中，能夠單次實現(xiàn)至少兩個工件沉積，且避免工件非成膜區(qū)成膜，減少后續(xù)加工工序，縮短工時，降低成本。所述原子層沉積裝置通過應用上述原子層沉積腔室，能夠單次實現(xiàn)多個工件沉積，避免工件非成膜區(qū)成膜，減少后續(xù)加工工序，縮短工時，降低成本。