一種超結(jié)MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011602643.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112635549A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112635549A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-09 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉秀梅;殷允超;劉鋒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇捷捷微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京科家知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 宮建華 |
| 地址 | 226200 江蘇省南通市啟東市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)錢(qián)塘江路3000號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種超結(jié)MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制造方法，在半導(dǎo)體基板第一主面上設(shè)置若干單元尺寸為W的器件元胞，在第一導(dǎo)電類(lèi)型外延層內(nèi)設(shè)置若干呈陣列排布的超結(jié)陣列，且超結(jié)陣列中第一N型柱n1、第二N型柱n2、第一P型柱p1、第二P型柱p2的寬度均相同為d，第一N型柱n1和第一P型柱p1的長(zhǎng)度相同為L(zhǎng)1，第二N型柱n2和第二P型柱p2的長(zhǎng)度相同為L(zhǎng)2，且L1>L2，L1+L2＝W，2d≤W；本發(fā)明通過(guò)多次外延工藝方法，改變超結(jié)的結(jié)構(gòu)，打破超結(jié)結(jié)構(gòu)尺寸與表面MOS結(jié)構(gòu)尺寸之間矛盾，在不增加現(xiàn)有工藝難度和制造成本的前提下，完成了超結(jié)結(jié)構(gòu)單元的小尺寸化，不僅提高了器件耐壓能力，而且降低了導(dǎo)通電阻，進(jìn)而降低了超結(jié)器件的導(dǎo)通損耗。 |
