低噪聲放大器芯片封裝結(jié)構(gòu)和衛(wèi)星高頻頭電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811223998.6 申請日 -
公開（公告）號 CN109494204B 公開（公告）日 2019-03-19
申請公布號 CN109494204B 申請公布日 2019-03-19
分類號 H01L23/31(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林水洋;宋穎;徐乃昊;周智;何德寬;王志高 申請（專利權(quán)）人 隔空微電子（廣州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清大紫荊知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 馮振華
地址 510635廣東省廣州市天河區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)光譜東路3號(1)棟一期廠房四層426
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種低噪聲放大器芯片封裝結(jié)構(gòu)和一種衛(wèi)星高頻頭電路，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：導(dǎo)線框架，包括裸片布局區(qū)和至少六個(gè)引腳，所述至少六個(gè)引腳圍繞所述裸片布局區(qū)放置；第一裸片和第二裸片，置于所述裸片布局區(qū)，所述裸片布局區(qū)與至少兩個(gè)引腳電連接，所述第一裸片包括第一FET結(jié)構(gòu)，所述第二裸片包括第二FET結(jié)構(gòu)，且所述第一FET結(jié)構(gòu)和第二FET結(jié)構(gòu)的源極均通過導(dǎo)線電連接至所述裸片布局區(qū)，所述第一FET結(jié)構(gòu)和第二FET結(jié)構(gòu)的柵極和漏極分別通過導(dǎo)線電連接至與所述裸片布局區(qū)隔離的不同的引腳。所述低噪聲放大器芯片封裝結(jié)構(gòu)能夠提高衛(wèi)星高頻頭電路的集成度。??