低噪聲放大器芯片封裝結(jié)構(gòu)和衛(wèi)星高頻頭電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811223998.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109494204A 公開(kāi)（公告）日 2019-03-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN109494204A 申請(qǐng)公布日 2019-03-19
分類號(hào) H01L23/31（2006.01）I; H01L23/495（2006.01）I; H04N5/50（2006.01）I; H04N7/20（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林水洋; 宋穎; 徐乃昊; 周智; 何德寬; 王志高 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 隔空微電子（廣州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫佳胤;董琳
地址 510635 廣東省廣州市天河區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)光譜東路3號(hào)(1)棟一期廠房四層426
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種低噪聲放大器芯片封裝結(jié)構(gòu)和一種衛(wèi)星高頻頭電路，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：導(dǎo)線框架，包括裸片布局區(qū)和至少六個(gè)引腳，所述至少六個(gè)引腳圍繞所述裸片布局區(qū)放置；第一裸片和第二裸片，置于所述裸片布局區(qū)，所述裸片布局區(qū)與至少兩個(gè)引腳電連接，所述第一裸片包括第一FET結(jié)構(gòu)，所述第二裸片包括第二FET結(jié)構(gòu)，且所述第一FET結(jié)構(gòu)和第二FET結(jié)構(gòu)的源極均通過(guò)導(dǎo)線電連接至所述裸片布局區(qū)，所述第一FET結(jié)構(gòu)和第二FET結(jié)構(gòu)的柵極和漏極分別通過(guò)導(dǎo)線電連接至與所述裸片布局區(qū)隔離的不同的引腳。所述低噪聲放大器芯片封裝結(jié)構(gòu)能夠提高衛(wèi)星高頻頭電路的集成度。