衛(wèi)星高頻頭電路
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201811223126.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN109257551B | 公開（公告）日 | 2019-01-22 |
| 申請公布號 | CN109257551B | 申請公布日 | 2019-01-22 |
| 分類號 | H04N5/50(2006.01)I; | 分類 | 電通信技術(shù); |
| 發(fā)明人 | 林水洋;宋穎;徐乃昊;周智;何德寬;王志高 | 申請（專利權(quán)）人 | 隔空微電子（廣州）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清大紫荊知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 馮振華 |
| 地址 | 510635廣東省廣州市天河區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)光譜東路3號(1)棟一期廠房四層426 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種下變頻芯片封裝結(jié)構(gòu)和衛(wèi)星高頻頭電路，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：導(dǎo)線框架，包括裸片布局區(qū)和多個(gè)引腳，所述多個(gè)引腳圍繞所述裸片布局區(qū)設(shè)置；第一裸片和第二裸片，所述第一裸片包括下變頻器件，所述第二裸片包括一FET結(jié)構(gòu)，且所述FET結(jié)構(gòu)與所述第一裸片連接，用于向所述第一裸片輸入經(jīng)過所述第二裸片放大后的信號，所述FET結(jié)構(gòu)的柵極連接至其中一個(gè)引腳，該引腳作為所述下變頻芯片封裝結(jié)構(gòu)的射頻信號輸入引腳。所述下變頻芯片結(jié)構(gòu)能夠減少電路面積，提高電路集成度，從而降低成本，并且能夠提高增益，降低噪聲，提高電路性能。?? |
