用于清洗半導(dǎo)體晶片的方法和設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810682458.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110416060B 公開（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN110416060B 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) H01L21/02;H01L21/67 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳福平;張曉燕;王暉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市金杜律師事務(wù)所 代理人 王茂華;張寧
地址 201203 上海市自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)中國（上海）蔡倫路1690號(hào)第4幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開的實(shí)施例涉及一種用于對(duì)工藝中晶片進(jìn)行清洗的方法和設(shè)備。該方法包括使工藝中晶片旋轉(zhuǎn)，使功能水施加至旋轉(zhuǎn)的工藝中晶片的表面，以在旋轉(zhuǎn)的工藝中晶片上產(chǎn)生流動(dòng)的功能水膜，使得工藝中晶片的表面由超聲波裝置清洗第一時(shí)段，引起超聲波裝置升起和/或增加旋轉(zhuǎn)的工藝中晶片的旋轉(zhuǎn)速度以使超聲波裝置與流動(dòng)的功能水膜分離，在超將聲波器件從功能水膜分離并使晶片表面干燥之后將功能水施加至旋轉(zhuǎn)的晶片的表面達(dá)第二時(shí)段。