非易失性存儲器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721907551.1 申請日 -
公開（公告）號 CN207676907U 公開（公告）日 2018-07-31
申請公布號 CN207676907U 申請公布日 2018-07-31
分類號 H01L27/115;H01L29/417 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 袁明星;王音;龔奎 申請（專利權）人 鴻之微科技（上海）股份有限公司
代理機構 上海一平知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 鴻之微科技（上海）股份有限公司
地址 201206 上海市浦東新區(qū)新金橋路1888號11號樓204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及半導體器件，公開了一種非易失性存儲器件。在本實用新型的非易失性存儲器件中，源極、漏極的二維材料為鋸齒構型，源極和漏極之間的散射區(qū)的二維材料施加應變后在鋸齒構型與扶椅構型之間變化，透射系數(shù)相差很大，使得該非易失性存儲器件能夠在開/關兩種狀態(tài)間切換，并且切換時間較短，從而成為新型非易失性存儲器件。