一種基于耦合器結(jié)構(gòu)的毫米波開(kāi)關(guān)及設(shè)計(jì)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210069402.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114400423A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-04-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114400423A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-04-26 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01P1/10（2006.01）I;H01P1/15（2006.01）I;H01P11/00（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 戈澤宇;陳浪;項(xiàng)勇;陳力生 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蘇州悉芯射頻微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 沈陽(yáng)銘揚(yáng)聯(lián)創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 屈芳 |
| 地址 | 215301江蘇省蘇州市昆山開(kāi)發(fā)區(qū)慶豐西路669號(hào)2號(hào)房中天大廈智谷創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園A區(qū)4層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種基于耦合器結(jié)構(gòu)的毫米波開(kāi)關(guān)及設(shè)計(jì)方法，包括第一類(lèi)SPST由第一耦合器和L?nMOS開(kāi)關(guān)組成，第一端口與L?nMOS開(kāi)關(guān)相連并接地，第二端口與ANT端相連，第三端口接地，第四端口與TX端相連。第一類(lèi)對(duì)稱式SPDT由兩個(gè)第一類(lèi)SPST對(duì)稱構(gòu)成，傳輸時(shí)P1dB高，第二類(lèi)SPST包括第二耦合器和L?nMOS開(kāi)關(guān)，第一端口懸空，第二端口與ANT端相連，第三端口與L?nMOS開(kāi)關(guān)相連并接地，第四端口與TX端相連。第二類(lèi)對(duì)稱式SPDT由兩個(gè)第二類(lèi)SPST對(duì)稱構(gòu)成，隔離時(shí)功率承受能力高，隔離時(shí)可實(shí)現(xiàn)寬帶設(shè)計(jì)，第三類(lèi)非對(duì)稱式SPDT由第一類(lèi)SPST和第二類(lèi)SPST構(gòu)成，利用第一類(lèi)SPST作為T(mén)x以提高發(fā)射功率容量，利用第二類(lèi)SPST作為Rx以提供高隔離的功率承受能力。 |
