一種多電流通道倒裝AlGaInPmini-LED芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110905454.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113363365B 公開（公告）日 2021-11-05
申請公布號 CN113363365B 申請公布日 2021-11-05
分類號 H01L33/38（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王克來;徐培強(qiáng);熊珊;潘彬;王向武 申請（專利權(quán)）人 南昌凱捷半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南昌金軒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 夏軍
地址 330000江西省南昌市臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)黃堂西街199號8#廠房204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體LED技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多電流通道倒裝AlGaInP mini?LED芯片及其制備方法。一種多電流通道倒裝AlGaInP mini?LED芯片，包括襯底、依次設(shè)置于所述襯底一側(cè)的鍵合層、P型半導(dǎo)體層、量子阱層、N型半導(dǎo)體層、第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層和第三介質(zhì)層；所述第三介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)表面設(shè)置有P電極和N電極以及第一電流通道和第二電流通道。第一電流通道和第二電流通道之間通過介質(zhì)層隔離，可以有效的防止芯片短路。導(dǎo)電通孔的設(shè)計(jì)可以減少發(fā)光面積的損失，提高芯片的發(fā)光亮度。