一種帶柵線歐姆接觸結(jié)構(gòu)的反極性芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120649056.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214705959U 公開（公告）日 2021-11-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN214705959U 申請(qǐng)公布日 2021-11-12
分類號(hào) H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L33/40（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王克來;徐培強(qiáng);熊珊;潘彬;王向武 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南昌凱捷半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南昌金軒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李楠
地址 330000江西省南昌市臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)黃堂西街199號(hào)8#廠房204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種反極性芯片，尤其涉及一種帶柵線歐姆接觸結(jié)構(gòu)的反極性芯片。一種帶柵線歐姆接觸結(jié)構(gòu)的反極性芯片，N?GaAs層被蝕刻成互相具有間隔的柵線交錯(cuò)分布在整個(gè)所述N?AlGaInP層上。該反極性芯片將GaAs層制成柵線結(jié)構(gòu)，有效的降低了GaAs層的覆蓋面積，減弱了GaAs層對(duì)有源區(qū)發(fā)射光的吸收；與N面電極直接連接的柵線的厚度較厚，增大了接觸面積，實(shí)現(xiàn)了金屬電極與外延層的歐姆接觸；柵線交錯(cuò)分布在整個(gè)所述N?AlGaInP層上，可以有效的將電流擴(kuò)散到整個(gè)芯片，提高芯片的亮度。