功率半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202110289690.7 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN113067472A | 公開(公告)日 | 2021-07-02 |
| 申請公布號 | CN113067472A | 申請公布日 | 2021-07-02 |
| 分類號 | H02M1/44;H02M1/00 | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 蔡超峰 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州悉智科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 蘇州謹和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 許冬瑩 |
| 地址 | 215024 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城中北區(qū)23幢綜合樓214室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一種功率半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),包括基板、通過連接材料連接至基板上且形成回路的第一半導(dǎo)體功率芯片模塊、第二半導(dǎo)體功率芯片模塊及鉗位電容;第一半導(dǎo)體功率芯片模塊包括第一功率芯片,基板上設(shè)置有電源接地端和通訊接地端,第一功率芯片的源極分別與電源接地端和通訊接地端連接。通過將第一功率芯片的源極直接與基板上的通訊地連接,避免了多重回路的增加;同時,由于第一功率芯片的源極回路的減小,有效降低電路電磁干擾的風(fēng)險,同時還降低了第一功率芯片在開通與關(guān)斷過程中的電壓尖峰。 |





