基于砷閥開關(guān)的II類超晶格結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310470180.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103500765A 公開（公告）日 2016-01-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN103500765A 申請(qǐng)公布日 2016-01-13
分類號(hào) H01L31/0304;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳建新;王芳芳;徐志成;周易;徐慶慶 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 常州中科德材科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海新天專利代理有限公司 代理人 郭英
地址 200083 上海市虹口區(qū)玉田路500號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于砷閥開關(guān)的II類超晶格結(jié)構(gòu)及制備方法。與傳統(tǒng)的II類超晶格結(jié)構(gòu)相比，原有的二元化合物GaSb和InSb均分別由GaAsSb和InAsSb三元化合物替代。其制備方法是在整個(gè)II類超晶格生長(zhǎng)過(guò)程中，As閥一直處于打開狀態(tài)，閥位大小與生長(zhǎng)InAs層時(shí)相同，使得在生長(zhǎng)GaSb層和InSb界面層時(shí)由于部分As的流出而形成了GaAsSb和InAsSb三元化合物。其特點(diǎn)在于：由于各層中都有共同元素As存在，使得各層的生長(zhǎng)溫度趨于一致，并使得界面處的互擴(kuò)散減少。此外，As原子表面活性劑作用，增加了Sb原子的遷移率，降低了Sb團(tuán)簇的形成幾率，減少了材料本身的缺陷，提高了材料性能。