一種采用TSV技術(shù)的無背電極光電探測(cè)器陣列結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910808012.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110518026A 公開（公告）日 2019-11-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN110518026A 申請(qǐng)公布日 2019-11-29
分類號(hào) H01L27/144;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 董自勇;盛振;汪斌;李文剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇尚飛光電科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京權(quán)智天下知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王新愛
地址 226017 江蘇省南通市蘇通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)江成路1088號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種采用TSV技術(shù)的無背電極光電探測(cè)器陣列結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括半導(dǎo)體硅襯底、P+型隔離槽和N+摻雜區(qū)；所述P+型隔離槽設(shè)置在半導(dǎo)體硅襯底的正面；所述N+摻雜區(qū)設(shè)置在半導(dǎo)體硅襯底的正面和背面；所述半導(dǎo)體硅襯底正面的P+型隔離槽和N+摻雜區(qū)交錯(cuò)間隔設(shè)置；所述半導(dǎo)體硅襯底正面的N+摻雜區(qū)上設(shè)有電極陰極；所述P+型隔離槽上端設(shè)有電極陽極；所述半導(dǎo)體硅襯底正面和背面還設(shè)有增透膜；所述電極陰極和電極陽極均設(shè)置在同一側(cè)；本發(fā)明通過將電極設(shè)置在同一側(cè)，符合探測(cè)器器件輕薄化發(fā)展要求，降低生產(chǎn)成本，將半導(dǎo)體硅襯底正面與背面的N+摻雜區(qū)采用TSV技術(shù)，實(shí)現(xiàn)正反面N+摻雜區(qū)的連通，有利于載流子收集和減小串?dāng)_。