一種奧氏體不銹鋼低溫離子滲氮的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610504576.0 申請日 -
公開（公告）號 CN105937018B 公開（公告）日 2018-07-17
申請公布號 CN105937018B 申請公布日 2018-07-17
分類號 C23C8/38;C23C8/80;C25F3/24 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 曹馳;陳志林;楊瑞成;牟鑫斌;陳冬武;張銀明;陳碧碧;胡柏林 申請（專利權）人 溫州蘭理工科技園有限公司
代理機構 北京市邦道律師事務所 代理人 段君峰
地址 325100 浙江省溫州市龍灣區(qū)永興街道濱海二路8號210室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于金屬表面硬化處理技術領域。為了解決采用常規(guī)奧氏體不銹鋼低溫離子滲氮方法對奧氏體不銹鋼進行表面處理后，存在氮化層厚度薄或氮化層厚度不均的問題，本發(fā)明公開了一種全新的奧氏體不銹鋼低溫離子滲氮的方法。該方法首先將奧氏體不銹鋼工件放入離子氮化爐內(nèi)，并將離子氮化爐內(nèi)的氣壓抽真空；其次向離子氮化爐內(nèi)通入氬氣進行離子轟擊；然后通入氮氣和氫氣進行低壓力離子滲氮和高壓力離子滲氮。通過采用本發(fā)明的奧氏體不銹鋼低溫離子滲氮的方法，可以使奧氏體不銹鋼表面形成具有一定厚度且厚度均勻的氮化層，從而使奧氏體不銹鋼在保持原有耐蝕性的同時具有良好的硬度和耐磨性。