一種低功耗X2抗干擾抑制薄膜電容器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202023130278.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN213958786U | 公開（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN213958786U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-13 |
| 分類號(hào) | H01G4/224（2006.01）I;H01G2/22（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 謝志懋;鄔文彬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 佛山市欣源電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市蘭鋒盛世知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 羅炳鋒 |
| 地址 | 528000廣東省佛山市南海區(qū)西樵科技工業(yè)園內(nèi) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種低功耗X2抗干擾抑制薄膜電容器，涉及電容器領(lǐng)域，包括外殼，所述纏繞層的中部連接有金屬鍍膜處理層。本實(shí)用新型中，通過時(shí)效處理工藝，將屏蔽帶所產(chǎn)生的留邊上殘存少量的屏蔽油處理掉，通過溫度50℃±5℃，濕度≤20%，時(shí)間30H±6H，使金屬化膜內(nèi)部的晶體結(jié)構(gòu)更趨于穩(wěn)定，內(nèi)部的多余油漬提前揮發(fā)沉積，在后續(xù)的生產(chǎn)過程不會(huì)由于其他各方面的因素而導(dǎo)致內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)變化。所以，經(jīng)過此工藝處理后的薄膜它的性能更加優(yōu)越，有效降低電容器的功耗。 |
