半導(dǎo)體器件的形成方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010253527.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113496942A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113496942A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-12 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/768（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李強(qiáng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 中芯國(guó)際集成電路制造（深圳）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海德禾翰通律師事務(wù)所 | 代理人 | 侯莉 |
| 地址 | 518118廣東省深圳市坪山新區(qū)出口加工區(qū)高芯路18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括接觸區(qū)和非接觸區(qū)；在所述基底上形成過(guò)渡層；對(duì)接觸區(qū)上的所述過(guò)渡層進(jìn)行改性處理，使接觸區(qū)上過(guò)渡層的材料致密度小于非接觸區(qū)上過(guò)渡層的材料致密度；進(jìn)行改性處理之后，在所述過(guò)渡層上形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層中具有開(kāi)口，所述開(kāi)口暴露出接觸區(qū)上的所述過(guò)渡層；采用濕法刻蝕工藝刻蝕去除所述開(kāi)口底部的所述過(guò)渡層。上述的方案，易于快速去除接觸區(qū)上過(guò)渡層，對(duì)開(kāi)口暴露出的非接觸區(qū)的過(guò)渡層的側(cè)壁的刻蝕損耗較小，因此避免刻蝕過(guò)程的底切效應(yīng)，提高半導(dǎo)體器件的性能。 |
