一種互連結(jié)構(gòu)的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010149002.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113363204A 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN113363204A 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01L21/768 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 紀登峰;金懿 申請（專利權）人 中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司
代理機構(gòu) 上海德禾翰通律師事務所 代理人 侯莉
地址 518118 廣東省深圳市坪山新區(qū)出口加工區(qū)高芯路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種互連結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：通過在第一溝槽的底部和部分側(cè)壁表面、以及第二溝槽的底部和部分側(cè)壁表面形成第一黏附阻擋層，以第一黏附阻擋層為掩模，對第一溝槽側(cè)部和第二溝槽側(cè)部的介質(zhì)層進行刻蝕處理。在進行刻蝕處理時，通過橫向刻蝕處理，就可以形成第二區(qū)域上的剩余的介質(zhì)層的頂面高于第一區(qū)域上的剩余的介質(zhì)層的頂面的結(jié)構(gòu)。通過這樣的結(jié)構(gòu)，使后續(xù)的刻蝕過程中，第一導電填充層頂面和第二導電填充層頂面之間的高度差降低，可以有效地提高器件的穩(wěn)定性和可靠性。而第一黏附阻擋層和第二黏附阻擋層，可以對介質(zhì)層形成保護，避免保護層材料或溝槽填充材料層擴散進入介質(zhì)層。