一種高靈活度的熔絲修調(diào)電路及其使用方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710389026.3 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN107169219A 公開(公告)日 2017-09-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN107169219A 申請(qǐng)公布日 2017-09-15
分類號(hào) G06F17/50;H03K19/0948 分類 計(jì)算;推算;計(jì)數(shù);
發(fā)明人 方海燕 申請(qǐng)(專利權(quán))人 北京伽略電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京君智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 邢大文
地址 100081 北京市海淀區(qū)區(qū)中關(guān)村南大街12號(hào)23號(hào)樓4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高靈活度的熔絲修調(diào)電路,所述熔絲修調(diào)電路包括修調(diào)控制電路、熔絲控制電路、電流熔斷熔絲、輸出驅(qū)動(dòng)器和SRAM靜態(tài)存儲(chǔ)單元;所述熔絲控制電路由熔斷電流控制管M1和恒流源I1構(gòu)成,恒流源I1連接芯片電源與電流熔斷熔絲;修調(diào)控制電路的另一個(gè)輸出端與SRAM靜態(tài)存儲(chǔ)單元連接;輸出驅(qū)動(dòng)器由多路選擇器構(gòu)成,其輸入端分別連接SRAM靜態(tài)存儲(chǔ)單元的輸出端和所述電流熔斷熔絲。本發(fā)明的熔絲修調(diào)電路通過SRAM靜態(tài)存儲(chǔ)單元的設(shè)置,實(shí)現(xiàn)在模擬修調(diào)階段以SRAM輸出代替熔絲動(dòng)作,實(shí)現(xiàn)多次編程,有效提高修調(diào)電路靈活性和修調(diào)精度。