聲波器件的制作方法及聲波器件
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202011243085.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN112532199A | 公開(公告)日 | 2021-03-19 |
| 申請公布號 | CN112532199A | 申請公布日 | 2021-03-19 |
| 分類號 | H03H9/02(2006.01)I;H03H9/17(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 廖珮淳 | 申請(專利權(quán))人 | 武漢衍熙微器件有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 崔曉嵐;張穎玲 |
| 地址 | 430205湖北省武漢市江夏區(qū)經(jīng)濟開發(fā)區(qū)藏龍島梁山頭村惠風(fēng)同慶花園一期G17-S棟1-2層6室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本公開實施例公開了一種聲波器件的制作方法及聲波器件,所述聲波器件包括諧振結(jié)構(gòu),所述方法包括:在襯底表面形成圍繞器件區(qū)的連線層;其中,所述器件區(qū)用于設(shè)置所述諧振結(jié)構(gòu);在所述連線層表面形成導(dǎo)電的支撐結(jié)構(gòu);其中,所述支撐結(jié)構(gòu)的高度大于所述諧振結(jié)構(gòu)的高度;在所述支撐結(jié)構(gòu)的頂部形成覆蓋所述器件區(qū)的封裝層;其中,所述封裝層、所述支撐結(jié)構(gòu)、所述連線層和所述襯底形成圍繞所述器件區(qū)的密封腔體。?? |





