一種SiCLDMOS器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111129313.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113782611B 公開(kāi)（公告）日 2022-06-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113782611B 申請(qǐng)公布日 2022-06-14
分類(lèi)號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜蕾;和巍巍;汪之涵;喻雙柏;張振中 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 深圳基本半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市恒申知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道辦事處秀新社區(qū)錦繡中路14號(hào)深福?，F(xiàn)代光學(xué)廠(chǎng)區(qū)B棟201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NSiC LDMOS器件及其制作方法。其中，SiC LDMOS器件包括SiC襯底、P阱區(qū)、N阱區(qū)、源區(qū)P+、源區(qū)N+、漏區(qū)N+、柵氧化層、多晶硅柵和SiN場(chǎng)氧層，SiN場(chǎng)氧層覆于SiC襯底與N阱區(qū)對(duì)應(yīng)的表面，SiN場(chǎng)氧層靠近源區(qū)N+的邊緣與N阱區(qū)靠近源區(qū)N+的邊緣對(duì)齊，SiN場(chǎng)氧層靠近漏區(qū)N+的一側(cè)具有斜面，SiN場(chǎng)氧層靠近漏區(qū)N+的邊緣與漏區(qū)N+靠近源區(qū)N+的邊緣對(duì)齊，柵氧化層覆于SiC襯底未覆有SiN場(chǎng)氧層的表面，多晶硅柵覆于柵氧化層與P阱區(qū)對(duì)應(yīng)的表面，多晶硅柵靠近漏區(qū)N+的邊緣與SiN場(chǎng)氧層靠近源區(qū)N+的邊緣相接，多晶硅柵遠(yuǎn)離漏區(qū)N+的一側(cè)與源區(qū)N+靠近漏區(qū)N+的一側(cè)交疊。本申請(qǐng)能夠?qū)崿F(xiàn)更小的Cgd，甚至能夠完全消除Cgd，進(jìn)而能夠有效地提升LDMOS器件的開(kāi)關(guān)頻率和性能。