一種適用于大尺寸單晶拉制的內(nèi)鑲式堝托

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921977854.X 申請日 -
公開(公告)號 CN211367814U 公開(公告)日 2020-08-28
申請公布號 CN211367814U 申請公布日 2020-08-28
分類號 C30B29/06(2006.01)I;C30B15/10(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 韓凱;張文霞;武志軍;郭謙;霍志強(qiáng);郭志榮;張石晶;王勝利;趙志遠(yuǎn);高潤飛 申請(專利權(quán))人 TCL中環(huán)新能源科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司
地址 300384 天津市濱海新區(qū)新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)(環(huán)外)海泰東路12號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種適用于大尺寸單晶拉制的內(nèi)鑲式堝托,其特征在于,包括堝托本體,所述堝托本體上方連接石英坩堝,所述堝托本體下方連接托桿,所述堝托本體下部設(shè)置有凹槽,所述托桿的上端插入所述凹槽內(nèi),所述托桿帶動所述堝托本體轉(zhuǎn)動,通過內(nèi)嵌式的連接方式有效的降低了堝托的厚度,在厚度減薄的基礎(chǔ)上,有效的增加了堝托在轉(zhuǎn)動情況下的穩(wěn)定性,進(jìn)而增加了坩堝的下限位距離,進(jìn)而可以增加投料量,來提高大尺寸單晶的產(chǎn)出。??