半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010072770.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113224030A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN113224030A 申請(qǐng)公布日 2021-08-06
分類(lèi)號(hào) H01L23/538;H01L27/108;H01L29/10;H01L21/8242 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 金一球 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 夏泰鑫半導(dǎo)體（青島）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 彭輝劍;龔慧惠
地址 266000 山東省青島市黃島區(qū)太白山路172號(hào)青島中德生態(tài)園雙創(chuàng)中心219室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開(kāi)案提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述半導(dǎo)體器件包括：第一鰭狀結(jié)構(gòu)，在基板上，且具有條形平面輪廓；和第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，在低于所述第一鰭狀結(jié)構(gòu)的最頂面的之水平截交于所述第一鰭狀結(jié)構(gòu)的中間區(qū)域。