一種單晶硅片制絨劑及利用該制絨劑進(jìn)行制絨的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010236704.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111394796B 公開（公告）日 2021-04-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN111394796B 申請(qǐng)公布日 2021-04-30
分類號(hào) C30B33/10;C30B29/06;H01L31/0236;H01L31/18 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 金炳生;高小云;劉兵 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 晶瑞電子材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國(guó)誠(chéng)專利代理有限公司 代理人 王麗
地址 215000 江蘇省蘇州市吳中經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)河?xùn)|工業(yè)園善豐路168號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單晶硅片制絨劑，按質(zhì)量百分計(jì)包括以下組分；無機(jī)酸10％?25％、氧化劑5％?15％、調(diào)控劑0.5％?5％、引發(fā)劑0.1％?1％，余量為去離子水。本發(fā)明還公開了一種利用該制絨劑進(jìn)行制絨的方法，包括如下步驟：制備第一制絨劑，將單晶硅片放入該第一制絨劑中，在32℃下浸泡3分鐘；制備第二制絨劑，將經(jīng)過第一制絨劑處理的單晶硅片放入第二制絨劑中，在25℃下浸泡3分鐘；將制絨后的單晶硅片放入硝酸和氫氟酸的混合溶液中超聲清洗1分鐘，然后對(duì)單晶硅片利用去離子水超聲清洗，再用高純氮?dú)獯蹈桑玫骄哂薪q面結(jié)構(gòu)的單晶硅片。本發(fā)明利用制絨劑可以在室溫和很短的時(shí)間內(nèi)完成制絨工藝，并且獲得比堿性制絨所得的正金字塔絨面結(jié)構(gòu)更好的倒金字塔絨面結(jié)構(gòu)。