溝槽型MOS晶體管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021212352.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212810310U | 公開（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212810310U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-26 |
| 分類號(hào) | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳譯;陸佳順;楊潔雯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 馬明渡;王健 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城NW20幢501室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開種溝槽型MOS晶體管，其硅片中部且位于重?fù)诫sN型漏極層和P型摻雜阱層之間具有一N型摻雜外延層；一位于P型摻雜阱層內(nèi)的溝槽延伸至N型摻雜外延層內(nèi)，位于P型摻雜阱層上部?jī)?nèi)且位于溝槽的周邊具有重?fù)诫sN型源極區(qū)，一絕緣介質(zhì)層覆蓋于溝槽、重?fù)诫sN型源極區(qū)和P型摻雜阱層上表面面；所述溝槽側(cè)壁和底部具有一第一二氧化硅層，且溝槽內(nèi)間隔設(shè)置有用第一導(dǎo)電多晶硅柱、第二導(dǎo)電多晶硅柱；所述溝槽的下部和底部均包覆有一位于所述N型摻雜外延層內(nèi)的P型中摻雜區(qū)。本實(shí)用新型溝槽型MOS晶體管可提高輕摻雜N型漂移區(qū)的摻雜濃度，增加耐壓的情況下，將關(guān)斷時(shí)將導(dǎo)通電阻降低。?? |
