溝槽式MOS器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202021209920.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213366600U 公開(kāi)（公告）日 2021-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN213366600U 申請(qǐng)公布日 2021-06-04
分類號(hào) H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳譯;陸佳順;楊潔雯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 馬明渡;王健
地址 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城NW20幢501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)一種溝槽式MOS器件，所述MOS器件包括至少2個(gè)MOS器件單胞，所述MOS器件單胞進(jìn)一步包括：位于硅片下部的重?fù)诫sN型漏極層和位于硅片上部的P型摻雜阱層，所述硅片中部且位于重?fù)诫sN型漏極層和P型摻雜阱層之間具有一N型摻雜外延層；一圓形洞槽包覆于溝槽下部和底部，此圓形洞槽的直徑大于溝槽的寬度，所述圓形洞槽的表面覆蓋有第三二氧化硅層，此圓形洞槽的第三二氧化硅層與溝槽之間填充有導(dǎo)電多晶硅部。本實(shí)用新型溝槽式MOS器件減小了器件工作時(shí)候的開(kāi)關(guān)損耗，且降低了關(guān)斷時(shí)的導(dǎo)通電阻。