中低壓溝槽型MOS器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202021210590.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN212342638U 公開（公告）日 2021-01-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN212342638U 申請(qǐng)公布日 2021-01-12
分類號(hào) H01L29/78;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳譯;陸佳順;楊潔雯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司
地址 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城NW20幢501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種中低壓溝槽型MOS器件，其位于P型摻雜阱層內(nèi)的溝槽延伸至N型摻雜外延層內(nèi)，所述溝槽側(cè)壁和底部具有一第一二氧化硅層，且溝槽內(nèi)間隔設(shè)置有用第一導(dǎo)電多晶硅柱、第二導(dǎo)電多晶硅柱，此第一導(dǎo)電多晶硅柱、第二導(dǎo)電多晶硅柱之間填充有第二二氧化硅層；所述溝槽內(nèi)下部具有下N型源極部，此下N型源極部位于第一導(dǎo)電多晶硅柱、第二導(dǎo)電多晶硅柱與溝槽底部之間，所述下N型源極部與溝槽之間填充有第三氧化硅層，所述下N型源極部與第一導(dǎo)電多晶硅柱、第二導(dǎo)電多晶硅柱之間通過第四氧化硅層隔離。本實(shí)用新型減小了器件工作時(shí)候的開關(guān)損耗，有效抑制了器件的誤開啟。