一種柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410295530.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104201234B 公開(kāi)（公告）日 2016-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN104201234B 申請(qǐng)公布日 2016-08-17
分類(lèi)號(hào) H01L31/18(2006.01)I;H01L31/072(2012.01)I;H01L31/036(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 余林蔚;李成棟 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 南京薩科勒納米科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞弘專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳建和
地址 211106 江蘇省南京市江寧區(qū)天元路1009號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，1)采用厚度80～500um，電阻率0.1～1000Ω·cm的晶體硅片作為襯底；2)先在晶體硅襯底上制作太陽(yáng)電池正面結(jié)構(gòu)或半成品正面結(jié)構(gòu)；3)保護(hù)好已制作的正面結(jié)構(gòu)從背面減薄襯底：在已制作的太陽(yáng)電池正面結(jié)構(gòu)或半成品正面結(jié)構(gòu)上制作100nm～100um的保護(hù)層或同時(shí)在背面也制作邊框保護(hù)，將晶體硅襯底從背面減薄至5～50um；去除保護(hù)層或同時(shí)包括背面邊框保護(hù)層；4)制作背面結(jié)構(gòu)：在背面淀積異質(zhì)結(jié)硅基鈍化層2～100nm及背面場(chǎng)2～50nm。異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)大幅度的提高電池的轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)路電壓、短路電流等；光電性能優(yōu)良的晶體硅作為柔性電池的吸收基區(qū)，是獲得較高轉(zhuǎn)換效率的保證。