一種改進硅微通道板表面形貌的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410419030.6 申請日 -
公開（公告）號 CN104326439B 公開（公告）日 2016-09-21
申請公布號 CN104326439B 申請公布日 2016-09-21
分類號 B81C1/00(2006.01)I;H01J9/12(2006.01)I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 王連衛(wèi);徐雨薇;徐少輝;朱一平 申請（專利權(quán)）人 上海歐普泰科技創(chuàng)業(yè)股份有限公司
代理機構(gòu) 上海伯瑞杰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳澤群
地址 200062 上海市普陀區(qū)中山北路3663號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改進硅微通道板表面形貌的方法，其步驟為：(1)在硅微通道板完成刻蝕后，采用激光切割使之形成所需大小的圓形薄片；(2)采用PECVD在硅微通道板的兩側(cè)依次淀積上300～500nm的SiO2層和100～200nm的Si3N4層薄膜，雙面對稱等厚；(3)按照干氧?濕氧?干氧的順序進行氧化，氧化的溫度為900?1100℃，干氧的時間控制在15?20分鐘，濕氧的時間控制在40?90分鐘；得到改進表面形貌的硅微通道板。本發(fā)明具有以下有益效果：解決了采取氧化工藝制作絕緣層，由于表面屬于自由端，在氧化過程中由于競爭機制，出現(xiàn)交叉處凸起這種使表面凹凸不平的問題。本發(fā)明所采用的氧化方法形成絕緣層的工藝，其成品率可以達到80％。