一種基于p型硅微通道表面均勻納米修飾的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510122203.2 申請日 -
公開（公告）號 CN104828774B 公開（公告）日 2017-01-04
申請公布號 CN104828774B 申請公布日 2017-01-04
分類號 B82B3/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C23C18/36(2006.01)I;C25D3/12(2006.01)I 分類 超微技術〔7〕;
發(fā)明人 王連衛(wèi);李勱;徐少輝;朱一平 申請（專利權）人 上海歐普泰科技創(chuàng)業(yè)股份有限公司
代理機構 上海伯瑞杰知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 吳澤群
地址 200062 上海市普陀區(qū)中山北路3663號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及納米材料與微結構技術領域，公開了一種基于均勻的化學鍍鎳硅微通道襯底結構上生長均勻納米結構材料的方法，其步驟包括：通過激光切割出所需形狀的從硅襯底剝離的硅微通道，用化學鍍鎳的方法在微通道表面均勻生長一層鎳導電層；調(diào)整沉積鎳的時間使得所得到的鍍鎳硅微通道的電阻低于兩歐姆；然后在鍍鎳微通道表面通過水熱法生長一層納米結構，這層納米結構是由CoMoO4這種復合金屬氧化物構成的，本發(fā)明利用水熱法在微米孔徑的鍍鎳硅微通道表面和內(nèi)部生長納米結構，提高了結構的均勻性與穩(wěn)定性，避免了物理方法輸運材料到微通道內(nèi)部造成的微通道的嚴重堵塞，同時自身具有良好的電化學活性，有望應用于新能源領域。