一種半導體熱處理真空爐熱場結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010685919.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111964444B 公開（公告）日 2022-06-07
申請公布號 CN111964444B 申請公布日 2022-06-07
分類號 F27B17/02（2006.01）I;F27D9/00（2006.01）I;F27D11/00（2006.01）I 分類 爐；窯；烘烤爐；蒸餾爐〔4〕;
發(fā)明人 于江水 申請（專利權）人 大同新成新材料股份有限公司
代理機構 太原榮信德知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 037002山西省大同市新榮區(qū)花園屯村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體熱處理真空爐熱場結構，包括底座，所述底座頂部的一側設置有保溫倉，所述保溫倉內部兩側的頂部和底部對稱設置有滑軌，兩組所述滑軌的內部皆設置有與其相互配合的滑塊，兩組所述滑塊相互靠近的一側共同設置有安裝框，所述安裝框內部的兩側和頂部皆均勻設置有導熱管，所述保溫倉內部底部的中間位置處設置有伺服電機B，所述伺服電機B的輸出端延伸至安裝框的內部并設置有放置板；本發(fā)明裝置通過保溫倉、放置板、控制面板、導熱管、伺服電機B和安裝框的相互配合，可使物料在測試時受熱更加均勻，使其檢測效果更加精準，還可減少操作人員操作時間。