用于薄片晶體的二維定向誤差精密測(cè)量方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810813573.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108613641B 公開(kāi)（公告）日 2019-11-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN108613641B 申請(qǐng)公布日 2019-11-12
分類號(hào) G01B15/00（2006.01）I; G01N23/20（2018.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 安寧; 吳華峰; 李朝陽(yáng); 徐勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 安徽創(chuàng)譜儀器科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥誠(chéng)興知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 安徽創(chuàng)譜儀器科技有限公司
地址 230000 安徽省合肥市蜀山區(qū)高新區(qū)皖水路228號(hào)1幢八層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于薄片晶體的二維定向誤差精密測(cè)量方法，方法中將待測(cè)晶體樣品固定在吸板上，探測(cè)器與X?射線夾角旋轉(zhuǎn)至Bragg角的2倍，利用精密轉(zhuǎn)臺(tái)對(duì)待測(cè)晶體樣品繞z方向的θ角進(jìn)行掃描，將待測(cè)晶體樣品的相位角即繞y方向轉(zhuǎn)動(dòng)改變直到待測(cè)晶體樣品的相位角完成360°旋轉(zhuǎn)。采用上述方法可以實(shí)現(xiàn)二維定向誤差測(cè)量；不依賴標(biāo)準(zhǔn)晶體，測(cè)量結(jié)果精度高；可以得到定向誤差大小及方向兩方面信息。