一種適用于HJT電池非晶硅沉積的多層PECVD設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011450582.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112760621A 公開（公告）日 2021-05-07
申請公布號 CN112760621A 申請公布日 2021-05-07
分類號 C23C16/458(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 白焱輝;楊立友;王繼磊;馮樂;黃金;郭磊;張永前;鮑少娟;杜凱;師海峰;楊文亮;孔青青 申請（專利權(quán)）人 晉能光伏技術(shù)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京慕達(dá)星云知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 符繼超
地址 030600山西省晉中市山西綜改示范區(qū)晉中開發(fā)區(qū)新能源汽車園區(qū)廣安東街533號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種適用于HJT電池非晶硅沉積的多層PECVD設(shè)備，包括：預(yù)熱腔、工藝腔和冷卻腔，并依次相連通，硅片在預(yù)熱腔預(yù)熱后輸送至所述工藝腔用于沉積非晶硅薄膜，并從所述工藝腔輸送至所述冷卻腔進(jìn)行冷卻；所述工藝腔的一個側(cè)面設(shè)置有進(jìn)氣口，相對的側(cè)面設(shè)置有尾氣管路，且所述工藝腔的內(nèi)部設(shè)置有至少兩個電極板，所述電極板在豎直方向上平行設(shè)置，并通過絕緣塊間隔相鄰的兩個所述電極板，相鄰的兩個所述電極板分別連接射頻電源和零電勢；所述尾氣管路上至少設(shè)置有一個抽氣孔；本發(fā)明為單腔多層非晶硅沉積設(shè)備，電極板在豎直方向上平行設(shè)置，形成多層結(jié)構(gòu)，能夠有效減小設(shè)備的占地面積，大幅度增加單臺設(shè)備產(chǎn)能，解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。??